电子元器材：3D NAND存储器研制重大突破

  近期，依据中科院微电子所的官网音讯，由长江存储和中科院微电子所三维存储器研制中心联合研制的32层3DNANDFlash芯片顺畅经过电学特性等各项目标测验，完结工艺器材和电路设计的整套技能验证。

  1、从技能视点看，3DNANDFlash存储器工业化面对如下应战：制作工艺开发（高深入比刻蚀工艺等）、存储器材单元结构设计、存储器材单元集成、可靠性、NAND阵列架构、存储芯片电路设计等。3DNANDFlash的每个技能应战都需求投入很多的研制力气去霸占。国内现在已完结工艺器材和电路设计的整套技能方案。

  2、咱们咱们都以为，国内涵3DNANDFlash范畴获得里程碑式开展，将为下一步的工业化铺平道路，有望缩小与国外同行的技能距离。

  V-NAND闪存，美光于2016年推出32层3DNAND闪存（全球第二家完成3DNAND闪存量产）。国内相对国外技能距离最小的存储器产品是3DNANDFlash。2、咱们咱们都以为，3DNANDFlash比较2DNAND，在功能、容量、可靠性、本钱方面具有竞赛优势，将成为存储器的干流技能。

  1、存储器是半导体工业的中心器材，其全球产量约为800亿美元，DRAM商场约为450亿美元，NANDFlash约为300亿美元。2016年，DRAM大部分商场占有率被三星、海力士、美光占有，三星、东芝/西数、美光、海力士垄断了NANDFlash商场。中国是全球最大的电子科技类产品生产基地和集散地，占有了全球存储器商场55%的商场份额。

  2、咱们咱们都以为，因为国外竞赛对手在DRAM和2DNAND方面具有很多折旧完的产能，而且DRAM商场增加放缓，所以从技能成熟度、本钱视点考虑，3DNANDFlash存储器是国内存储器工业加快速度进行开展的捷径。

  3DNAND存储器研制获得重大突破，有望加快国内存储器工业高质量开展，利好A股相关半导体存储器、资料以及设备标的。要点引荐：兆易立异、深科技、上海新阳、七星电子、太极实业。

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